単位互換科目：パワー半導体デバイス
教員名
犬石 昌秀
単位数
2単位
開講学期
秋学期
目的と概要
目的：電力変換回路における、半導体デバイスの役割を理解すること。
高耐圧、高電流、高信頼性を実現できる半導体デバイス構造設計を理解すること。
概要：パワーエレクトロニクスにおいて電力変換回路の基盤となるスイッチングデバイスであるパワー半導体デバイスの動作特性、適用を半導体デバイス物理に基づき講義する。用途に応じた高電圧、大電流、スイッチング速度を満足させる各種半導体パワーデバイスの特性、構造を半導体デバイス物理に基づき説明する。
授業計画
1. パワーデバイスの概要
2. パワーデバイスによる電力変換について
3. 原子と結晶
4. 半導体中のキャリ
5. 半導体デバイスの基礎
6. 半導体デバイスの基礎（MOS構造）
7. 電力用ダイオード
8. 電流制御型スイッチングデバイス
9. 電圧制御型スイッチングデバイス
10.電圧制御型スイッチングデバイスⅠ(IGBT)
11.電圧制御型スイッチングデバイスⅡ(IGBT)
12.ワイドバンドギャップ半導体デバイス(SiC)
13.ワイドバンドギャップ半導体デバイス(GaN)
14.パワーデバイスの信頼性
15.復習
授業に対する
準備事項It will take 60 minutes to prepare for every class.
成績評価方法
試験：50% 期末試験を1回行う。
レポート：30% 理解をチェックするために演習問題を出す。
平常点評価：20% 授業参加
履修上の注意
教科書・参考書
Fundamentals of Power Semiconductor Devices(Springer) B.Jayant Baliga(著)
パワーデバイス 山本秀和著 コロナ社
