コース紹介

<新規> 半導体基礎講座・デバイス試作実習

種別

総合実習（1単位）
併設：デバイス試作ライトコース（単位なし）

開講期

30時間（1単位）
【１班】講義2025/8/18（月），実習8/19（火）～8/25（月）：計６日間
【２班】講義2025/8/18（月），実習8/25（月）～8/29（金）：計６日間

デバイス試作ライトコース（単位なし）
2025/9/5（金）9:30-16:30（飯塚：送迎バスあり）　定員12名

講師

FAISより講師派遣

内容

講義と共同研究開発センターのクリーンルーム内実習とを組み合わせた実習．
【開催期間】
〇講義：1日（90分×4コマ：全員）
〇実習：4日（24時間）×2班（6名毎）
【単位認定】
1単位　（実習後レポート提出）
【実施場所】
〇講義：産学連携センター2F研修室（対面を基本とする）
〇実習：共同研究開発センター1F
【内容】
〇講義：外部講師（日本テキサス・インスツルメンツ(合)：大川氏）による講義
・半導体の基礎知識
・半導体とエレクトロニクス機器の関係性
・半導体の種類と製品市場の特徴
※講義の聴講のみの学生の受け入れも可（この場合の単位はなし）
〇実習：FAIS職員講師によるダイオード作成工程の実習
・安全講習と実習内容の説明［実習の合間時間で実施］
・フォトマスクの作成
・電極形成マスクのパターンファイル作成（L-Edit）実習［レイアウト設計室：0.5日］
・描画装置への入力と、マスクブランクスのフォトリソ・エッチング実習［クリーンルーム：1.0日］
・ダイオード作成実習（参考③参照）［クリーンルーム：2.0日］
・特性測定と実習のまとめ［組立評価室・レイアウト設計室：0.5日］

スケジュール

ライトコース（単位無し）

内容

半導体分野以外の学生向けに、クリーンルーム内での体験を提供するために、1.5日の実習も併設する。
・開催時期：総合実習の後期に2班（6名毎）
・単位認定：単位はなし　（評価はせずに、実習後のアンケートへの回答で修了）
・内容：安全講習とダイオード作成工程の電極形成工程［1.0日］＋特性測定とアンケート記入［0.5日］
・講義：総合実習講座の履修生と同時に受講